济南计划京上金融【图文速递】图1.基于石墨烯场效应晶体管（GFET）传感器阵列的晶圆纳米制造和功能化。

图3A-CrS/HC-CoS2、北招商CoS2、CrS和Pt/C的(a)HER LSV曲线。Cr-S-Co共价键形成界面电荷传输通道，海深优化了H*和OOH*中间体在CrS/CoS2异质结上的吸附，从而加快了HER和OER的速率决定步骤。

王融，发达工学博士，讲师。CoS2、地区CrS和CrS/CoS2异质结上的(c)HER和(d)OER处理的自由能图。开展(b)CrS/CoS2异质界面的三维电荷密度差为0.0012e·Bohr-3。

推介图5 (a)几何优化后CrS/CoS2异质结的结构模型。济南计划京上金融主要研究方向为MOF材料及其衍生物的可控制备与电催化性能研究。

非晶CrS/高晶CoS2异质结(A-CrS/HC-CoS2)中的非晶/高晶结构不仅有利于生成丰富的界面，北招商暴露更多的活性位点，北招商从而获得较高的HER和OER活性，而且还有助于A-CrS/HC-CoS2在水电解过程中的结构和组成演变，确保了较高的HER和OER稳定性。

海深A-CrS/HC-CoS2 OER反应后的(h)TEM,(i,j)HRTEMimagesand(k)EDSmapping。发达【图文速递】图1.基于石墨烯场效应晶体管（GFET）传感器阵列的晶圆纳米制造和功能化。

地区图3.GFET传感器的噪声谱测量。我们发现，开展在热退火后，大多数（约60%）的设备都实现了相对较窄的电子分布（相对于众数值的变化在±10%范围内），无论是电阻还是漏电流开关比。

由于其距离通道（d1、推介d2、推介d3等）的位置（水平虚线）确定，每个缺陷都具有其独特的时间常数（τ1、τ2、τ3等，用不同长度的彩色箭头表示）和唯一的功率谱密度（PSD），如不同颜色的PSD示意图中的虚线曲线所示。济南计划京上金融传感器的可逆性和重复性对于其实际应用至关重要。